ddr2和ddr3的区别

854次浏览发布时间：2022-07-23 18:10:35

本文章主要涉及到对DDR2和DDR3在设计印制线路板(印刷电路板)时,考虑信号完整性和电源完整性的设计事项,这些是具有相当大的挑战性的。文章重点是讨论在尽可能少的印刷电路板层数,特别是四层板的情况下的相关技术,其中一些设计方法在以前已经成熟的使用过。

1. 介绍

目前,比较普遍使用中的DDR2的速度已经高达800 Mbps，甚至更高的速度,如1066 Mbps，而DDR3的速度已经高达1600 Mbps .对于如此高的速度,从印刷电路板的设计角度来讲,要做到严格的时序匹配,以满足波形的完整性,这里有很多的因素需要考虑,所有的这些因素都是会互相影响的。

它们可以被分类为印刷电路板叠层、阻抗、互联拓扑、时延匹配、串扰、电源完整性和时序,目前,有很多电子设计自动化工具可以对它们进行很好的计算和仿真。

表一显示了DDR2和DDR3所具有的共有技术要求和专有的技术要求。

表1: DDR2和DDR3要求比较

2. 印刷电路板的叠层(堆叠)和阻抗

对于一块受印刷电路板层数约束的基板（如四层板)来说,其所有的信号线只能走在顶端和底部层,中间的两层,其中一层为地线平面层,而另一层为电源电压平面层，Vtt和参考电压（VoltageReference）在电源电压平面层布线。而当使用 6 层来走线时,设计一种专用拓扑结构变得更加容易,同时由于POWER层和GND层的间距变小了,从而提高了PI.

互联通道的另一参数阻抗,在DDR2的设计时必须是恒定连续的,单端走线的阻抗匹配电阻50欧姆必须被用到所有的单端信号上,且做到阻抗匹配,而对于差分信号100欧姆的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端,比如时钟和DQS信号。另外,所有的匹配电阻必须上拉到VTT，且保持50欧姆，ODT的设置也必须保持在50欧姆.

在DDR3的设计时,单端信号的终端匹配电阻在 40 和60欧姆之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上,这已经被证明有很多的优点。而且,上拉到VTT的终端匹配电阻根据国际度量单位制仿真的结果的走线阻抗,电阻值可能需要做出不同的选择,通常其电阻值在30-70欧姆之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100欧姆.

图 1 : 四层和六层印刷电路板的叠层方式

3. 互联通路拓扑

对于DDR2和DDR3，其中信号DQ、DQS都是点对点的互联方式,所以不需要任何的拓扑结构,然而列外的是,在多列DIMMs(双列直插式内存模块)的设计中并不是这样的。在点对点的方式时,可以很容易的通过OTD的阻抗设置来做到阻抗匹配,从而实现其波形完整性。而对于ADDR/CMD/CNTRL和一些时钟信号,它们都是需要多点互联的,所以需要选择一个合适的拓扑结构,图2列出了一些相关的拓扑结构,其中飞越拓扑结构是一种特殊的菊花链,它不需要很长的连线,甚至有时不需要短线(STUB).

对于DDR3，这些所有的拓扑结构都是适用的,然而前提条件是走线要尽可能的短。FLY-BY拓扑结构在处理噪声方面,具有很好的波形完整性,然而在一个四层板上很难实现,需要 6 层板以上,而菊花链式拓扑结构在一个四层板上是容易实现的。另外,树形拓扑结构要求AB型血的长度和AC的长度非常接近（如图 2)。考虑到波形的完整性,以及尽可能的提高分支的走线长度,同时又要满足板层的约束要求,在基于四层板的DDR3设计中,最合理的拓扑结构就是带有最少短线(STUB)的菊花链式拓扑结构。

图 2: 带有2片SDRAM(Synchronous Dynamic random access memory)的ADDR/CMD/CNTRL拓扑结构

对于DDR2-800，这所有的拓扑结构都适用,只是有少许的差别。然而,菊花链式拓扑结构被证明在SI方面是具有优势的。

对于超过两片的SDRAM，通常,是根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。图3显示了不同摆放方式而特殊设计的拓扑结构,在这些拓扑结构中,只有A和D是最适合四层板的印刷电路板设计。然而,对于DDR2-800，所列的这些拓扑结构都能满足其波形的完整性,而在DDR3的设计中,特别是在1600 Mbps时,则只有D是满足设计的。图 3: 带有四片同步动态随机存取记忆体(Synchronous Dynamic random access memory)的ADDR/CMD/CNTRL拓扑结构

4. 时延的匹配

在做到时延的匹配时,往往会在布线时采用长号方式走线,另外,在布线时难免会有切换板层的时候,此时就会添加一些过孔。不幸的是,但所有这些弯曲的走线和带过孔的走线,将它们拉直变为等长度理想走线时,此时它们的时延是不等的,如图四所示。

图4:长号和过孔的实例

显然,上面讲到的TROMBONE方式在时延方面同直走线的不对等是很好理解的,而带过孔的走线就更加明显了。在中心线长度对等的情况下，TROMBONE走线的时延比直走线的实际延时是要来的小的,而对于带有过孔的走线,时延是要来的大的。这种时延的产生,这里有两种方法去解决它。一种方法是,只需要在EDA(Electronic Design Automation)工具里进行精确的时延匹配计算,然后控制走线的长度就可以了。而另一种方法是在可接受的范围内,减少不匹配度。

对于TROMBONE线,时延的不对等可以通过增大L3的长度而降低,因为并行线间会存在耦合,其详细的结果,可以通过SigXP仿真清楚的看出,如图5、L3(图中的s)长度的不同,其结果会有不同的时延,尽可能的加长S的长度,则可以更好的降低时延的不对等。对于微带线来说，L3大于七倍的走线到地的距离是必须的。

图 5: 针对长号的仿真电路和仿真波形

TROMBONE线的时延是受到其并行走线之间的耦合而影响,一种在不需要提高其间距的情况下,并且能降低耦合的程度的方法是采用锯齿线。显然，锯齿线比长号线具有更好的效果,但是,它需要更多的空间。由于各种可能造成时延不同的原因,所以,在实际的设计时,要借助于计算机辅助设计工具进行严格的计算,从而控制走线的时延匹配。

考虑到在图2中 6 层板上的过孔的因素,当一个地过孔靠近信号过孔放置时,则在时延方面的影响是必须要考虑的。先举个例子,在顶端层的微带线长度是底部150密耳层的微带线也是150密耳，线宽都为4密耳，且过孔的参数为:枪管直径= " 8密耳"，衬垫直径= " 18密耳"，反衬垫直径= " 26密耳" .

这里有三种方案进行对比考虑,一种是,通过过孔互联的这个过孔附近没有任何地过孔,那么,其返回路径只能通过离此过孔250密耳的印刷电路板边缘来提供；第二种是,一根长达362密耳的微带线；第三种是,在一个信号线的四周有四个地过孔环绕着。图 6 显示了带有60欧姆的常规线的s参数，从图中可以看出,带有四个地过孔环绕的信号过孔的s参数就像一根连续的微带线,从而提高了S21特性。由此可知,在信号过孔附近缺少返回路径的情况下,则此信号过孔会大大增高其阻抗。当今的高速系统里,在时延方面显得尤为重要。

现做一个测试电路,类似于图 5,驱动源是一个线性的60欧姆阻抗输出的梯形信号,信号的上升沿和下降沿均为

100 ps，幅值为1V .此信号源按照图 6 的三种方式,且其端接一60欧姆的负载,其激励为一800兆赫的周期信号。在0.5V这一点,我们观察从信号源到接收端之间的时间延迟,显示出来它们之间的时延差异。其结果如图七所示,在图中只显示了信号的上升沿,从这图中可以很明显的看出,带有四个地过孔环绕的过孔时延同直线相比只有3 ps，而在没有地过孔环绕的情况下,其时延是8 ps .由此可知,在信号过孔的周围增加地过孔的密度是有帮助的。然而,在四层板的印刷电路板里,这个就显得不是完全的可行性,由于其信号线是靠近电源平面的,这就使得信号的返回路径是由它们之间的耦合程度来决定的。所以,在四层的印刷电路板设计时,为符合电源完整性(电源完整性)要求,对其耦合程度的控制是相当重要的。

图 6: 带有过孔互联通道的s参数

图 7: 图 6 三种案例的发送和接收波形

对于DDR2和DDR3，时钟信号是以差分的形式传输的,而在DDR2里，DQS信号是以单端或差分方式通讯取决于其工作的速率,当以高度速率工作时则采用差分的方式。显然,在同样的长度下,差分线的切换时延是小于单端线的。根据时序仿真的结果,时钟信号和DQS也许需要比相应的ADDR/CMD /CNTRL和数据线长一点。另外,必须确保时钟线

和DQS布在其相关的ADDR/CMD/CNTRL和DQ线的当中。由于DQ和DM在很高的速度下传输,所以,需要在每一个字节里,它们要有严格的长度匹配,而且不能有过孔。差分信号对阻抗不连续的敏感度比较低,所以换层走线是没多大问题的,在布线时优先考虑布时钟线和DQS .

5. 串扰

图 8: 相互耦合走线的s参数

在设计微带线时,串扰是产生时延的一个相当重要的因素。通常,可以通过加大并行微带线之间的间距来降低串扰的相互影响,然而,在合理利用走线空间上这是一个很大的弊端,所以,应该控制在一个合理的范围里面。典型的一个规则是,并行走线的间距大于走线到地平面的距离的两倍。另外,地过孔也起到一个相当重要的作用,图8显示

了有地过孔和没地过孔的耦合程度,在有多个地过孔的情况下,其耦合程度降低了7分贝.考虑到互联通路的成本预算,对于两边进行适当的仿真是必须的,当在所有的网线上加一个周期性的激励,将会由串扰产生的信号抖动,通过仿真,可以在时域观察信号的抖动,从而通过合理的设计,综合考虑空间和信号完整性,选择最优的走线间距。

6. 电源完整性

这里的电源完整性指的是在最大的信号切换情况下,其电源的容差性。当未符合此容差要求时,将会导致很多的问题,比如加大时钟抖动、数据抖动和串扰。

这里,可以很好的理解与去偶相关的理论,现在从"目标阻抗"的公式定义开始讨论。

Ztarget =电压容差/瞬态电流(1)

在这里,关键是要去理解在最差的切换情况下瞬间电流(瞬态电流)的影响,另一个重要因素是切换的频率。在所有的频率范围里,去耦网络必须确保它的阻抗等于或小于目标阻抗(Ztarget).在一块印刷电路板上,由电源和地层所构成的电容,以及所有的去耦电容,必须能够确保在100KHz左右到100-200英里小时左右之间的去耦作用。频率在100KHz以下,在电压调节模块里的大电容可以很好的进行去耦。而频率在200兆赫以上的,则应该由片上电容或专用的封装好的电容进行去耦。实际的电源完整性是相当复杂的,其中要考虑到集成电路的封装、仿真信号的切换频率和印刷电路板耗电网络。对于印刷电路板设计来说,目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的,也是比较实际的解决方案。

在内存的设计上有三类电源,它们是VDD、VTT和Vref .电源电压的容差要求是 5%,而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和专用的一定数量的去耦电容,可以做到电源完整性,其中去耦电容从10nF到10uF大小不同,共有 10 个左右。另外,表贴电容最合适,它具有更小的焊接阻抗。

参考电压（VoltageReference）要求更加严格的容差性,但是它承载着比较小的电流。显然,它只需要很窄的走线,且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于参考电压（VoltageReference）相当重要,所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。

然而,对VTT的布线是具有相当大的挑战性,因为它不只要有严格的容差性,而且还有很大的瞬间电流,不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。最终,可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。

在四层板的印刷电路板里,层之间的间距比较大,从而失去其电源层间的电容优势,所以,去耦电容的数量将大大增加,尤其是小于10纳法的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。

7. 时序分析

对于时序的计算和分析在一些相关文献里有详细的介绍,下面列出需要设置和分析的8个方面：

1. 写建立分析:DQ对DQS

2. 写保持分析:DQ对DQS

3. 读建立分析:DQ对DQS

4. 读保持分析:DQ对DQS

5. 写建立分析:DQS对CLK

6. 写保持分析:DQS对CLK

7. 写建立分析:ADDR/CMD/CNTRL对CLK

8. 写保持分析:ADDR/CMD/CNTRL对CLK

表2举了一个针对写建立(写设置)分析的例子。表中的一些数据需要从控制器和存储器厂家获取,段"互连"的数据是取之于国际度量单位制仿真工具。对于DDR2上面所有的8项都是需要分析的,而对于DDR3，5项和 6 项不需要考虑。在印刷电路板设计时,长度方面的容差必须要保证总利润是正的。

表 2: 针对DQ对DQS的DDR3写保持时域分析案例

8.pcb布局

在实际的印刷电路板设计时,考虑到SI要求,往往有很多的折中方案。通常,需要优先考虑对于那些对信号的完整性要求比较高的。画印刷电路板时,当考虑一下的一些相关因素,那么对于设计印刷电路板来说可靠性就会更高。

1. 首先,要在EDA工具里要设置好里设置好拓扑结构和相关约束。

2. 将球栅阵列封装引脚突围,将ADDR/CMD/CNTRL引脚布置在DQ/DQS/DM字节组的中间,由于所有这些分组操作,为了尽可能少的信号交叉,一些独立的管脚也许会被交换到其它区域布线。

3. 由串扰仿真的结果可知,尽量减少短线(STUB)长度。通常,短线(STUB)是可以被削减的,但不是所有的管脚都做得到的。在球栅阵列封装焊盘和存储器焊盘之间也许只需要两段的走线就可以实现了,但是此走线必须要很细,那么就提高了印刷电路板的制作成本,而且,不是所有的走线都只需要两段的,除非使用微小的过孔和盘中孔的技术。最终,考虑到信号完整性的容差和成本,可能选择折中的方案。

4. 将参考电压（VoltageReference）的去耦电容靠近参考电压（VoltageReference）管脚摆放；VTT中心的去耦电容摆放在最远的一个SDRAM外端；电源电压的去耦电容需要靠近器件摆放。小电容值的去耦电容需要更靠近器件摆放。正确的去耦设计中,并不是所有的去耦电容都是靠近器件摆放的。所有的去耦电容的管脚都需要扇出后走线,这样可以减少阻抗,通常,两端段的扇出走线会垂直于电容布线。

5. 当切换平面层时,尽量做到长度匹配和加入一些地过孔,这些事先应该在EDA工具里进行很好的仿真。通常,在时域分析来看,差分线里的两根线的要做到延时匹配,保证其误差在+/- 2ps，而其它的信号要做到+/- 10ps.

9. 内存插槽

之前介绍的大部分规则都适合于在印刷电路板上含有一个或更多的DIMM，唯一列外的是在内存插槽里所要考虑到去耦因素同在内存插槽组里有所区别。在内存插槽组里,对于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓扑结构里,带有少的短线菊花链拓扑结构和树形拓扑结构是适用的。

10. 案例

上面所介绍的相关规则,在DDR2 PCB、DDR3 PCB和DDR3-DIMM PCB里,都已经得到普遍的应用。在下面的案例中,我们采用莫赛德公司的控制器,它提供了对DDR2和DDR3的操作功能。在国际度量单位制仿真方面,采用了朱鹭模型,其存储器的模型来自美光科技公司，对于DDR3 SDRAM的模型提供了1333 Mbps的速率。在这里,数据是操作是在1600 Mbps下的。对于不带缓存(无缓冲)的内存(MT_DDR3_0542cc)EBD模型是来自微米技术，下面所有的波形都是采用通常的测试方法,且是在SDRAM芯片级进行计算和仿真的。图2所示的 6 层板里,只在顶端和底部层进行了布线,存储器由两片的SDRAM以菊花链的方式所构成。而在内存插槽的案例里,只有一个不带缓存的内存插槽被使用。图 9-11 是对顶部/底部层布线的一个闪照图和信号完整性仿真图。

9: 只有在顶端和底部层走线的DDR3的仿真波形

（左边的是地址和时钟网络,右边的是数据和DQS网络,其时钟频率在800兆赫，数据通信率为1600Mbps)